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什么是碳化硅SiC及碳化硅SiC有哪些特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2024-11-16 16:10:25 作者:馬九玲 來源:http://www.ypluff.cn 人氣:
什么是碳化硅SiC及碳化硅SiC有哪些特點(diǎn)
碳化硅(SiC)是一種自然界中罕見的共價(jià)化合物,其中碳(C)和硅(Si)以一一對應(yīng)的方式相互結(jié)合。
碳化硅(SiC)具有高硬度、良好的耐熱性和良好的導(dǎo)熱性,因此被用作磨料和耐火材料。此外,由于其在高溫下的優(yōu)異耐熱性,它最近作為半導(dǎo)體等材料受到了廣泛關(guān)注。
高硬度
碳化硅(SiC)是地球上第三硬的化合物,使其不易因壓縮而變形。其新莫氏硬度為13,只有金剛石(新莫氏硬度:15)和碳化硼(新莫氏硬度:14)具有更高的硬度。
低熱膨脹
碳化硅(SiC)對因溫度升高而引起的長度和體積變化具有很強(qiáng)的抵抗力。與金屬相比,它的抗熱沖擊性極高,熱膨脹率較低,為 4.5 x 10-6/ °C,同時(shí)具有導(dǎo)熱性。
良好的抗氧化性
顆粒狀碳化硅(SiC)在700 °C或更高溫度下開始氧化,該溫度取決于它是燒結(jié)物體還是粉末,如果是粉末形式,則取決于其大小。
碳化硅(SiC)與氧反應(yīng)產(chǎn)生的氧化產(chǎn)物是 SiO2(二氧化硅),其密度足夠大,可以覆蓋碳化硅(SiC)的整個(gè)表面,從而限制氧化(高氧分壓下的保護(hù)性氧化),從而保護(hù)碳化硅(SiC)免受氧化。
在高溫和低氧分壓下,碳化硅(SiC)會變成 SiO 并蒸發(fā),數(shù)量減少但不會產(chǎn)生 SiO2。
卓越的耐熱性
碳化硅(SiC)具有極高的耐熱性。它在空氣中高達(dá) 1,600°C 的溫度下仍保持穩(wěn)定,其分解溫度為 2,545°C。尤其值得注意的是其出色的耐高溫性。
良好的導(dǎo)熱性
碳化硅(SiC)是良好的熱導(dǎo)體。燒結(jié)體的導(dǎo)熱率為 270 W/m·K,與準(zhǔn)金屬相當(dāng)。
半導(dǎo)體特性
碳化硅(SiC)是一種半導(dǎo)體,其電阻變化大于 10 位數(shù),范圍從可用作加熱元件的電阻區(qū)到接近絕緣的區(qū)域。此外,由于其絕緣擊穿電場高、導(dǎo)熱性高且?guī)秾挘ū?Si 寬兩到三倍),因此高溫半導(dǎo)體等功率器件的研究和開發(fā)正在積極進(jìn)行中。
耐化學(xué)性好
碳化硅(SiC)化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,耐酸堿腐蝕。加熱的氫氟酸和硝酸的混合酸以及濃氫氧化鈉均不會對它產(chǎn)生影響。但是,碳化硅可以通過碳酸鈉的熔融法分解,或通過氫氟酸、硝酸和硫酸混合物的高壓酸分解法分解。

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